Clevios™分散体一旦被烘干，便很难进行分散。溶液中颗粒物干燥后会附着在过滤器上。注射器和过滤器仅可使用
一次。将Clevios™分散体从瓶中倒出时，应当正好倒出所需的量，避免将未使用的产品重新倒回瓶中。
Clevios导电聚合物的涂覆
Clevios™分散体和配方可通过多种工艺进行涂覆或印刷，例如旋涂、狭缝涂布、喷涂、浸涂、凹版印刷、丝网印刷和喷墨打印
等。我们为某些工艺提供即用型油墨或浆料配方，我们的技术服务团队能够为其他需要进行产品改进的工艺提供支持。
在实验室中，旋涂是将Clevios导电聚合物沉积为一道薄涂层的常见方式。将对Clevios导电聚合物的旋涂工艺进行详细介
绍:
通过旋涂工艺沉积到氧化铟锡(ITO)玻璃表面的Clevios™P导电聚合物涂层的厚度由以下几个参数确定:
旋转速度
加速度
旋转时间
旋涂器的设计
基材尺寸和表面
■基材表面预处理的质量
氧化铟锡(ITO)玻璃的预处理对于Clevios™P导电聚合物能否在该基材表面均匀分散影响极大。并没有通用的规则来
确定旋转速度与涂层厚度之间的关系。为了描绘出典型的旋转-厚度示例曲线，我们将各种Clevios™P系列的导电聚合物旋涂
在涂有氧化铟锡(ITO)的玻璃基材表面。结果在旋涂机(带3”Gyrset罩的Carl Suss®RC 8)上显示。将尺寸为50mmx
50 mm的涂有氧化铟锡(ITO)的玻璃基材采用湿洗法洗净，将其表面置于紫外线/臭氧腔室中进行活化处理，时间为15
分钟。通过Pasteur移液管将约1-2毫升的Clevios™P系列导电聚合物沉积到玻璃基材表面。进行旋涂工艺前，手动将该聚合物
分散体分散到整个基材表面。
旋涂工艺结束后，将湿膜置于加热板上进行热风烘烤。推荐的烘烤温度和烘烤时间:Clevios™PAI4083、Clevios™ P
CH8000等电子产品用导电聚合物及Clevios™HIL系列:在200℃的温度下烘烤5分钟;Clevios™PH1000、Clevios™ HIL-
E、Clevios™F ET或Clevios™HIL 8等高导电性产品:在130C的温度下烘烤15分钟。
