现货德国heraeus CLEVIOS K Nano lL-62N导电聚合物

Clevios导电聚合物的涂覆

Clevios™分散体和配方可通过多种工艺进行涂覆或印刷，例如旋涂、狭缝涂布、喷涂、浸涂、凹版印刷、丝网印刷和喷墨打印

等。我们为某些工艺提供即用型油墨或浆料配方，我们的技术服务团队能够为其他需要进行产品改进的工艺提供支持。

在实验室中，旋涂是将Clevios导电聚合物沉积为一道薄涂层的常见方式。将对Clevios导电聚合物的旋涂工艺进行详细介

绍:

通过旋涂工艺沉积到氧化铟锡(ITO)玻璃表面的Clevios™P导电聚合物涂层的厚度由以下几个参数确定:

旋转速度

加速度

旋转时间

旋涂器的设计

基材尺寸和表面

■基材表面预处理的质量

氧化铟锡(ITO)玻璃的预处理对于Clevios™P导电聚合物能否在该基材表面均匀分散影响极大。并没有通用的规则来

确定旋转速度与涂层厚度之间的关系。为了描绘出典型的旋转-厚度示例曲线，我们将各种Clevios™P系列的导电聚合物旋涂

在涂有氧化铟锡(ITO)的玻璃基材表面。结果在旋涂机(带3”Gyrset罩的Carl Suss®RC 8)上显示。将尺寸为50mmx

50 mm的涂有氧化铟锡(ITO)的玻璃基材采用湿洗法洗净，将其表面置于紫外线/臭氧腔室中进行活化处理，时间为15

分钟。通过Pasteur移液管将约1-2毫升的Clevios™P系列导电聚合物沉积到玻璃基材表面。进行旋涂工艺前，手动将该聚合物

分散体分散到整个基材表面。

旋涂工艺结束后，将湿膜置于加热板上进行热风烘烤。推荐的烘烤温度和烘烤时间:Clevios™PAI4083、Clevios™ P

CH8000等电子产品用导电聚合物及Clevios™HIL系列:在200℃的温度下烘烤5分钟;Clevios™PH1000、Clevios™ HIL-

E、Clevios™F ET或Clevios™HIL 8等高导电性产品:在130C的温度下烘烤15分钟。

其他提示:

如果Clevios™ P分散体在涂覆过程中出现湿润现象，可在其中加入不超过10%(重量比)的异丙醇。加入表面

活性剂也能改善润湿性，尤其是在疏水表面。

在OLED应用中，Clevios™P导电聚合物的涂层厚度通常在50-80nm之间。涂层厚度应通过实验不断进行优化，以实现透过率和成膜质量。如有需要，Clevios™HIL系列大多数产品都可提供n数据和k数据。

所有剩余/未使用的分散体在涂覆结束后都应倒出设备，以避免干燥后的分散体造成腐蚀和的颗粒污染。

基材的处理

在沉积Clevios™导电聚合物前对基材进行的预处理

干净、尤其是不含油脂的表面是确保Clevios™导电聚合物涂层均匀沉积在玻璃基材、透明氧化层(TCO)或塑料薄膜表面的先

决条件。

采用湿洗法清洁玻璃或TCO基材的步骤:

使用无绒纸巾和丙酮溶剂擦拭基材，以清除划割时粘附的玻璃颗粒

▪在60°℃的温度下，将基材置于含普通玻璃清洗剂(如3%Mucasol®，德国Kalle公司)的去离子水中，使用超声波清洗

10分钟

。使用去离子水冲洗

在60°℃的温度下，将基材置于去离子水中，使用超声波清洗10分钟

使用去离子水冲洗

将基材置于乙醇溶剂中，使用超声波清洗5分钟

▪在40°C的温度下，将基材置于丙酮溶剂中，使用超声波清洗5分钟

应重复以上清洗步骤直到基材表面不含任何浑浊杂质。用于清洗基板的所有溶剂都应符合PA质量。

通过等离子体、紫外线/臭氧或电晕放电工艺对表面进行活化处理，可以显著改善Clevios™导电聚合物在玻璃、TCO和PET薄膜

等各种基材表面的水滴角。

使用去离子水冲洗